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收藏High-quality β-(AlxGa1-x)2O3 heteroepitaxy grown on (010) Ga2O3 via MOCVD and transistor demonstration吴, H.; 刘, H.; 周, X.; 徐, G.; 王, Y.; 吕, Y.; 冯, Z.; 龙, S. 通过MOCVD在(010) Ga2O3上生长的高质量β-(AlxGa1-x)2O3异质外延及其晶体管演示. 半导体科学技术, 2026, 41, 015004. [Google Scholar] [CrossRef]
Wu, Haozhong; Liu, Hongyu; Zhou, Xuanze; Xu, Guangwei; Wang, Yuangang; Lv, Yuanjie; Feng, Zhihong; Long, Shibing
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收藏Intrinsic Solution to the Dilemma between High-Efficiency and External-Field-Free Spin-Orbit Torque Switching Based on Biaxial Devices基于双轴器件的高效与外场自由自旋轨道矩翻转之间困境的内禀解决方案
Wu, Biao; Jiang, Siyuan; Wang, Di; Zhao, Xuefeng; Xiang, Xueqiang; Huo, Ran; Huang, Xiaolin; Xu, Jun; Long, Shibing; Gao, Nan
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