K
Kexin Deng
H指数:11
被引数:552
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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SiC/金刚石复合衬底低温兼容界面工程及其低热边界阻和微波损耗
基于深度学习的动态积冰飞机冰微结构三维连通性重构
低温临时键合通过表面激活键合将InP HBT外延层转移至硅上
采用N2退火原子层沉积SiNx栅介质提高AlGaN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管的界面质量和稳定性
勘误: III族氮化物异质结构金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管中的阈值电压不稳定性: 表征和界面工程 [Appl. Phys. Rev. 11,021325 (2024)]
APPLIED PHYSICS REVIEWS
IF11.6
CARBON
IF11.6
III族氮化物异质结构金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管的阈值电压不稳定性: 表征和界面工程
APPLIED PHYSICS REVIEWS
IF11.6
Al2O3栅介质体陷阱的抑制机理及其对Al2O3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管阈值电压不稳定性的影响
在GaN基金属-绝缘体-半导体电子器件中通过高温远程等离子体预处理有效抑制GaN表面上的非晶Ga2O和相关深能级
通过等离子体增强原子层沉积生长的SiOxNy界面层有效抑制SiNx/GaN金属-绝缘体-半导体结构中的深界面态和介电俘获

