M
Maurizio Moschetti
H指数:6
被引数:415
个人简介
暂无内容
教育背景
暂无内容
工作经历
暂无内容
荣誉奖项
暂无内容
偏压增加的陷阱发射是AlGaN/GaN技术导通电阻退化的内在原因
Electronics
IF2.6
肖特基p-GaN HEMT反向效应的深度分析:[Mg]和栅极极化的影响
AlGaN/GaN HEMTs中欧姆接触的受控凹槽刻蚀
GaN HEMTs器件中肖特基型p-GaN栅的栅漏电流与失效机理研究
Electronics
IF2.6
SiCILIA-碳化硅探测器,用于强烈的光度研究和应用
SENSORS
IF3.5

