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A
Alessandro Chini
H指数:34
被引数:5,260
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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p-GaN功率HEMT中设备设计对RON×QOSS指标的模拟研究
通过电容谱技术鉴定金刚石肖特基二极管中的硼相关陷阱
偏压增加的陷阱发射是AlGaN/GaN技术导通电阻退化的内在原因
Electronics
IF2.6
肖特基p-GaN HEMT反向效应的深度分析：[Mg]和栅极极化的影响
GaN HEMTs器件中肖特基型p-GaN栅的栅漏电流与失效机理研究
Electronics
IF2.6
OFF态应力对晶圆上100 V p-GaN HEMT动态导通电阻的影响研究：通过模拟单片集成半桥运行方式进行分析
用于5g应用的0.15 μ m AlGaN/GaN hemt中与温度无关的电流分散
关于碳掺杂GaN中施主/受主补偿比的建模，以单复现横向GaN功率hemt中的击穿电压和电流崩溃
用于mmic应用的GaN hemt的可靠性研究
