Hanchao Li

多模GaN晶体管，通过钝化诱导的应力-应变-极化耦合实现超宽阈值电压控制

Si基GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）技术用于毫米波移动收发（T/R）模块，展示了同时实现高效率（>60%）和低噪声（<1.2 dB）的性能。

基于硅衬底的AlN/GaN高电子迁移率晶体管中不同Al组份背栅势垒的漏电通道分析

与BEOL兼容的非晶氧化物半导体高压晶体管，实现了超越GaAs限制的性能参数。