C
Cameron A. Gorsak
H指数:8
被引数:163
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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β–Ga₂O₃ 亚微米 FinFET 器件,采用硅δ掺杂沟道调制 >3 × 10<sup>13</sup> cm<sup>–2</sup> 电荷密度
高温Si掺杂β-Ga₂O₃在退火过程中由镓空位引起的载流子补偿的证据
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β–Ga₂O₃ 亚微米 FinFET 器件,采用硅δ掺杂沟道调制 >3 × 10<sup>13</sup> cm<sup>–2</sup> 电荷密度
高温Si掺杂β-Ga₂O₃在退火过程中由镓空位引起的载流子补偿的证据