S
Samuel Graham
H指数:70
被引数:2.1万
个人简介
暂无内容
教育背景
暂无内容
工作经历
暂无内容
荣誉奖项
暂无内容
利用空心微柱阵列对高功率AI加速器进行直板蒸发冷却的实验研究
使用一种新型三组分相变材料对MOSFET功率模块进行动态热管理
AlN薄膜声子热输运中弹道向扩散转变的实验观察
具有超低复位电流密度和大开/关比的HfO2忆阻器的最大相位Ti2AlN
具有AlN过渡层的GaN/SiC界面的增强热边界电导
Β-氧化镓电力电子
APL MATERIALS
IF4.5

