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收藏Unraveling the Degradation Mechanisms of AlGaN-Based UVC-LEDs: A Comprehensive Analysis解析AlGaN基UVC-LED的降解机制:一项全面分析
Wen, Pengyan; He, Yu; Feng, Meixin; Dong, Jiahao; Zou, Xinbo; Chen, Jiaxiang; Qu, Haolan; Sun, Xiujian; Sun, Qian; Yang, Hui
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收藏AlGaN/GaN MIS-HEMT Nominally Free of Access Regions on Si for Low-Voltage RF ApplicationsAlGaN/GaN MIS-HEMT 器件在 Si 衬底上名义上无接入区域,适用于低压射频应用
Zhang, Xinkun; Dai, Quan; Wang, Qingru; Zhou, Yu; Yang, Xinlu; Zhan, Xiaoning; Zhong, Yaozong; Qie, Haoran; Li, Qian; Liu, Jianxun; Chen, Xin; Sun, Qian; Yang, Hui
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收藏Effective removal of Si contamination at the GaN regrowth interface through in-situ etching通过原位刻蚀有效去除GaN外延再生长界面处的Si污染
Qie, Haoran; Gao, Hongwei; Zhong, Yaozong; Guo, Xiaolu; Sun, Qian; Li, Tengfei; Cao, Yunzhe; Ge, Xinchen; Sun, Xinyu; Li, Fangqing; Sun, Xiujian; Yang, Hui
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