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A. Gnade
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Comparison of electrical and chemical characteristics of ultrathin HfON versus HfSiON dielectrics
APPLIED PHYSICS LETTERS
IF
3.6
2006-07-19
37
PRE
AI
Effect of thickness on the crystallization of ultrathin HfSiON gate dielectrics
APPLIED PHYSICS LETTERS
IF
3.6
2006-01-17
52
PRE
AI
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暂未获取到该数据
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H指数
论文数
被引数
R
Robert M. Wallace
H 指数:
91
论文数:
622
被引数:
4.6万
B
Bruce E. Gnade
H 指数:
41
论文数:
329
被引数:
9,748
P
P. D. Kirsch
H 指数:
33
论文数:
205
被引数:
4,639
M
M. J. Kim
H 指数:
15
论文数:
39
被引数:
658
G
G. Pant
H 指数:
14
论文数:
32
被引数:
510
S
Sitaraman Krishnan
H 指数:
33
论文数:
146
被引数:
4,530
M
Manuel Quevedo-López
H 指数:
41
论文数:
342
被引数:
7,019
Q
Quevedo-Lopez, MA
H 指数:
0
论文数:
1
被引数:
0