.png){kind=icon}
Kangli Xu
个人简介
暂无内容
教育背景
暂无内容
工作经历
暂无内容
荣誉奖项
暂无内容
PDA处理的铪基电容器，通过封顶层实现超-high-k（~81），适用于电容性存储器应用
超低功耗光电可重构Hf0.2Zr0.8Ox基反铁电器件用于自适应图像识别
基于光子可重构器件的脉冲神经网络加速
对称相工程化 Hf<sub>1-x</sub>Zr<sub>x</sub>O<sub>2</sub> 实现可靠的非破坏性存储器读出
一步退火配置的Hf0.2Zr0.8O2忆阻反铁电器件，用于生物启发的CSNN神经形态计算
与后端工艺兼容的HZO/ZrO<sub>2</sub>铁电电容器，实现了51.1 μC/cm<sup>2</sup>的2P<sub><italic>r</italic></sub>、高介电常数（~48.4），并在低压操作下具有超过10<sup>11</sup>次循环的耐久性。
富锆策略在超薄Hf0.5Zr0.5O2中实现与后端工艺兼容的铁电随机存取存储器
用于下一代高速多功能器件的具有低温相变的创新超低热预算ZrHfOx铁电薄膜
用于内存传感和存储计算的可重构无选择器全光控制神经形态忆阻器
基于用于神经形态计算的反铁电氧化铪锆设备的新型两端突触/神经元
通过在La:HfO2薄膜中诱导ZrO2嵌入层来改善铁电性和隧穿电阻
铁电/反铁电HfZrOx人工突触/神经元用于卷积神经网络–脉冲神经网络类脑计算
BEOL兼容的无退火Hf<sub>x</sub>Zr<sub>1-x</sub>O<sub>2</sub>铁电器件及其循环依赖演化机制的探究
通过原位掺杂工程制备的HZO电容器，在1.5 MV/cm下实现了高介电常数（~56.2）和铁电性（2P<sub>r</sub>~43.4 μC/cm<sup>2</sup>），并具有10<sup>10</sup>次循环耐久性。
