S
Stefan De Gendt
H指数:52
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个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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高分辨率EUV锌-氧肟酸盐抗蚀剂:为何后曝光烘烤无法改善光刻性能
采用N2/H2等离子体暴露和六氟乙酰丙酮的镍原子层刻蚀
石墨烯局域应变的电子效应
Carbon
IF11.6
减少先进半导体制造中湿化学工艺的环境影响
基于锡的金属氧化物抗蚀剂的光刻胶曝光和工艺化学基础理解:后曝光延迟和烘烤过程中环境气氛的影响
光催化TiO2表面结合光刻定义的区域选择性沉积Ru:选择性与缺陷形成机制
Mg基氧化物半导体(MgZnO)在亚100 nm间距上的图形化:反应离子刻蚀与原子层刻蚀
一种干湿准ALE方法用于过渡金属:以钨为模型系统
铋在异质外延生长于ML-MoS2/蓝宝石(0001)表面的相和取向演化
在SrTiO3缓冲Si(001)上生长的BaBiO3-δ薄膜通过原位分子束外延冷却过程引起的结构转变
下一代EUV光刻技术的研究:高NA;最高实用化潜力
通过气相电子-离子符合实验,分离出存在于极紫外光刻胶中的共聚物的光致电离作用
NANOMATERIALS
IF4.3
在Mn掺杂的石墨烯中实现高取代掺入
ACS NANO
IF16

