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Fu, Yu

Waseda University

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收录论文 2
发表时间
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Normally-off operation in vertical diamond MOSFETs using an oxidized Si-terminated diamond channel使用氧化的Si终止金刚石沟道在垂直金刚石mosfet中的常关操作
errCARBON
IF11.6
err2023-09-01
err3
PREAI
errOta, Kosuke; Fu, Yu; Narita, Kento; Wakabayashi, Chiyuki; Hiraiwa, Atsushi; Fujishima, Tatsuya; Kawarada, Hiroshi
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C-Si bonded two-dimensional hole gas diamond MOSFET with normally-off operation and wide temperature range stability
errCARBON
IF11.6
err2021-04-01
err30
PREAI
errBi, Te; Chang, Yuhao; Fei, Wenxi; Iwataki, Masayuki; Morishita, Aoi; Fu, Yu; Niikura, Naoya; Kawarada, Hiroshi
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研究方向

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合作学者
合作期刊
H
Hiroshi Kawarada
H 指数: 61 · 论文数: 740
A
Atsushi Hiraiwa
H 指数: 28 · 论文数: 198
K
Kosuke Ota
H 指数: 21 · 论文数: 126
T
Tatsuya Fujishima
H 指数: 10 · 论文数: 47
N
Naoya Niikura
H 指数: 2 · 论文数: 12
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