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D
Daniel Lundin
H指数:40
被引数:5,524
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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氮含量对离子辐照下生长的CrN<sub>y</sub>和Cr<sub>1-x</Nb<sub>x</sub>N<sub>y</sub> (y < 0.44)薄膜的相形成、微观结构和力学性能的影响
脉冲基板偏压对高功率脉冲磁控溅射制备低温生长的TiZrNbTaN<sub>x</sub>薄膜的应变和力学性能的影响
通过同步HiPIMS中的气体稀薄化控制金属离子加速，以改善外延AlN生长
通过高功率脉冲磁控溅射过程中的选择性金属离子轰击调控低温生长富铝CrAlWN薄膜的相形成和力学性能
MATERIALS & DESIGN
IF7.9
铁基薄膜的脉冲电子回旋共振化学气相沉积
钒氧化物反应式高功率脉冲磁控溅射（HiPIMS）过程的等离子体表征
高功率脉冲反应磁控溅射Ti在Ar/N2气氛中的电离区域模型
测量反应离子化物理气相沉积中金属流量的电离度
二茂铁的等离子体分解
通过阳极氧化定制CoCrFeNi和MnCrFeNi薄膜的电催化活性和耐腐蚀性
通过调节微观结构和表面氧化增强CoCrFeNi薄膜的氧反应电催化和耐腐蚀性
SMALL SCIENCE
IF8.3
HiPIMS生长的AlN缓冲层可减少蓝宝石衬底上直流磁控溅射GaN外延膜中的线位错
VACUUM
IF3.9
在大功率冲动磁控溅射中使用高能早期到达离子辐照生长的刚玉结构的AlCrNbTi氧化物膜
SCRIPTA MATERIALIA
IF5.6
