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X
Xuefeng Zheng
H指数:23
被引数:2,275
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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通过Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>中间层进行栅堆叠工程以增强HfZrO<sub><italic>x</italic></sub> FeFETs的记忆性能
混合p-n结/欧姆门p-GaN HEMT，具有增强的阈值电压稳定性和大栅极摆幅
对p-GaN栅极AlGaN/GaN HEMTs单粒子烧毁机理及加固设计的研究
高性能垂直β-Ga2O3肖特基势垒二极管，利用磁控溅射p-NiO双台面结终端扩展
重离子辐照下Ka波段GaN MMIC功率放大器的单粒子烧毁机理研究
下丘脑外侧区刺鼠肽能-前扣带皮层环路缓解慢性应激诱导的焦虑样行为
Current Biology
IF7.5
β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基增强型异质结栅场效应晶体管的阈值电压特性
小鼠外侧下丘脑促食欲素能神经元的传入和传出连接的全脑图谱
Brain Research
IF2.6
不同漏极偏置下GaN MMIC PAs在导通应力下的降解机制研究
基于热电制冷器的β-Ga₂O₃肖特基势垒二极管主动热管理
20 MeV质子辐照对带场板的β-Ga2O3肖特基势垒二极管电性能的影响
Β-ga2o3 sbd中的正向偏置应力诱导的降解机制: 以陷阱为中心的观点
OPTICS EXPRESS
IF3.3
通过MOCVD制备的(010) β-Ga2O3外延薄膜中位错微观结构界面及缺陷形成机制
通过改变阳极功函数控制的 β-ga2o3基二极管的电学和温度特性研究
NANOMATERIALS
IF4.3
不同条件下增强型GaN HEMT器件的单事件效应研究
