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Y
Yijun Shi
H指数:14
被引数:574
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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通过消除不期望的电场耦合的双分量差分磁探针的新校准方法
不同栅极偏置下p-gan HEMT的卸载应力诱导退化
负载突增应力对浮栅条件下p-GaN HEMTs的影响
时间相关的单调与非单调动态RDS；p-GaN栅极HEMT的导通（ON）变化及机理
重离子诱导SiC功率MOSFET栅氧化物损伤的研究
氢中毒对p栅AlGaN/GaN hemt的影响
NEDD4L介导ITGB4泛素化和降解抑制食管癌进展
HELIYON
IF3.6
MATERIALS
IF3.2
叠层氮化镓MISHEMT的电学和热学特性
通过钳位沟道电位提高短沟道功率p-gan hemt的击穿电压和阈值电压稳定性
