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Hongyue Wang

ministry of industry and information technology
H指数:26
被引数:3,167

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First-Principles Study of N2 or H2/N2 Plasma Pretreatment: Effects on the Interface Properties in Si3N4/AlN/GaN MIS-HEMTs

基于第一性原理的研究:N<sub>2</sub>或H<sub>2</sub>/N<sub>2</sub>等离子体预处理的界面性质对Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>/AlN/GaN MIS-HEMTs的影响

2026-04-140
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