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杨
杨文 (Wen Yang)
H指数:9
被引数:252
个人简介
任职于微电子学院，副教授、博士生导师、硕士生导师。
教育背景
2017.08 – 2021.08
中佛罗里达大学 博士 电子工程
2015.09 – 2017.06
电子科技大学 硕士 集成电路工程
2011.09 – 2015.06
电子科技大学 学士 数理基础科学
工作经历
2022.08 – 至今
华南理工大学
预聘副教授
2021.08 – 2022.07
Analog Devices, Inc.（ADI）
研究员
荣誉奖项
- 广东省高层次人才计划｜广东省
朗伯-斯科尔斯光谱学分析控制GaN鳍式场效应晶体管中异常PBTI的非极性界面陷阱
多芯片IGBT功率模块中温度场的时空互相关寿命分析
低温下p-GaN HEMT在PBTI应力及恢复过程中的阈值电压漂移的全面研究
基于电流瞬态特征的p-GaN HEMTs在重复ESD应力下的在线退化感知与机制分析
通过台面-沟槽电场平衡和台面屏蔽环结构提高GaN垂直沟槽MOSFET的击穿电压
低温预应力期间p-GaN HEMTs中陷阱解冻诱导的阈值电压不稳定性
