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J
Jiandong Ye
H指数:40
被引数:6,696
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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高线性度和亚微米分辨率的GaN位置敏感探测器用于可见光盲紫外检测
通过控制硼前驱体对氮掺杂金刚石薄膜的结晶性、荧光和自旋特性的调控
常关β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>沟槽栅电流孔垂直电子晶体管的高电压漏极应力稳定性
揭示纤锌矿氮化物中电偶极矩各向异性和对称性破缺机制以实现偏振敏感紫外探测
Advanced Materials
IF26.8
超高压高温退火显著增强了钻石中硅和氮空位色心发光
D带调控实现了基于Pd/Ag合金栅AlGaN/GaN HEMT的高响应自偏压氢气传感器
高速GaN位置敏感探测器用于可见光盲区紫外检测
BV > 3 kV且开启电压低的β-Ga₂O₃垂直肖特基势垒二极管，具有PIN边缘终止结构
p-NiO栅极工程化AlGaN/GaN紫外光电晶体管，具有增强的光栅效应用于可见光盲区检测
兆瓦级超宽禁带半导体模块，用于脉冲功率电子学
Nature Communications
IF15.7
竞争性表面吸附控制了MOCVD生长的β-Ga₂O₃ (001) 同质外延层中Si的意外掺入
微波等离子体化学气相沉积中氧添加剂对金刚石生长和残余硼的调控机制
通过扭曲光栅超表面集成突破极化LED的50%能量损耗屏障
在Si衬底上采用混合p-NiO RESURF-FP终止结构的AlGaN/GaN HEMTs的电场调制和热电子抑制
自由运行式GaN紫外单光子雪崩二极管及其稳定的雪崩击穿特性
深能级缺陷和载流子调控在Sn掺杂β-Ga2O3 (100) 单晶中
