.png){kind=icon}
K
Kaizhen Han
H指数:23
被引数:1,415
个人简介
暂无内容
教育背景
暂无内容
工作经历
暂无内容
荣誉奖项
暂无内容
基于时间分期开发的1年死亡率预测列线图及其验证在脓毒症相关性急性肾损伤中的应用
室温氟化：一种成本效益高的BEOL氧化物半导体FETs的V<sub>TH</sub>工程解决方案，实现了增益记录值为2687的反相器和高噪声容限
BTI可靠性之IGZTO FETs：氢动力学、AC/DC应力效应与先进建模
与BEOL兼容的非晶氧化物半导体高压晶体管，实现了超越GaAs限制的性能参数。
铁电电容存储器：器件、阵列及应用
NANO CONVERGENCE
IF11
NANO LETTERS
IF9.1
NANO LETTERS
IF9.1
具有亚3 nm纳米线宽度的Ge0.95Sn0.05栅极全包围p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
NANO LETTERS
IF9.1
