K
Kai Takeuchi
H指数:14
被引数:647
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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通过金薄膜转移法制备的低温低压键合用Au空心金字塔凸点
在室温下通过薄金膜实现GaAs和SiC的晶圆键合
使用聚酰亚胺模板剥离通过表面平滑进行Au镀层的室温键合
微流控芯片与用于ISF收集的多孔微针接口
暂无内容
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通过金薄膜转移法制备的低温低压键合用Au空心金字塔凸点
在室温下通过薄金膜实现GaAs和SiC的晶圆键合
使用聚酰亚胺模板剥离通过表面平滑进行Au镀层的室温键合
微流控芯片与用于ISF收集的多孔微针接口