T
Takashi Matsumae
H指数:18
被引数:974
个人简介
暂无内容
教育背景
暂无内容
工作经历
暂无内容
荣誉奖项
暂无内容
通过表面激活键合制备的Ga₂O₃/Si界面的电导率
通过金薄膜转移法制备的低温低压键合用Au空心金字塔凸点
使用聚酰亚胺模板剥离通过表面平滑进行Au镀层的室温键合
MATERIALIA
IF2.9
通过压印Ni imprint模具对金刚石基板进行微图案化处理
SENSORS
IF3.5
SENSORS
IF3.5
SCIENTIFIC REPORTS
IF3.9
SCRIPTA MATERIALIA
IF5.6
SCRIPTA MATERIALIA
IF5.6

