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周鹏 封面图

周鹏 (Peng Zhou)

fudan university教授邮箱:pengzhou@fudan.edu.cn
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个人简介

复旦大学微电子学院教授。2000年毕业于复旦大学物理学系,2005年获复旦大学物理学博士。2005年至2008年任复旦大学微电子学院助理研究员,2008年至2013年任副研究员,2013年12月起任教授。2006年至2007年为韩国首尔国立大学访问学者。研究方向为新型二维层状半导体电子器件与特性、下一代CMOS兼容非易失存储器。2013年获复旦大学卓学人才,2016年获上海市科技启明星,2018年获科技部中青年领军人才和上海市曙光学者,2019年获国家杰出青年科学基金,2020年获上海市青年科技杰出贡献奖。

教育背景

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工作经历

  • 2013.12 – 至今

    复旦大学,微电子学院

    教授

  • 2008.05 – 2013.12

    复旦大学,微电子学院

    副研究员

  • 2006.08 – 2007.07

    韩国,首尔国立大学

    访问学者

  • 2005.07 – 2008.04

    复旦大学,微电子学院

    助理研究员

  • 2000.07 – 2005.06

    复旦大学,信息科学与工程学院

  • 1996.07 – 2000.06

    复旦大学,物理学系

荣誉奖项

  1. 全功能二维半导体/硅基混合架构异质集成闪存芯片,中国科学十大进展(2025)
  2. 尚思学者(2025)
  3. 相辉学者(2025)
  4. 科学探索奖(2024)
  5. 上海市自然科学一等奖,第一完成人(2024)
  6. 国家级教学成果二等奖, 第一完成人(2022)
  7. 教育部自然科学二等奖,第一完成人(2022)
  8. 上海市教学成果一等奖, 第一完成人(2022)
  9. 上海市自然科学二等奖,第一完成人(2020)
  10. 上海市青年科技杰出贡献奖(2020)
  11. 国家杰出青年科学基金获得者(2019/2025青A延续/)
  12. 上海市曙光学者(2018)
  13. 科技部中青年领军人才(2018)
  14. 国家自然基金委优秀青年基金获得者(2016)
  15. 上海市科技启明星(2013)
Quasi-non-volatile capacitorless DRAM based on ultralow-leakage edge-contact MoS2 transistors

基于超低泄漏边缘接触MoS2晶体管的准非易失性无电容DRAM

2026-01-140
PRE
A full-featured 2D flash chip enabled by system integration

通过系统集成实现的全功能2D闪存芯片

Nature
IF48.5
2025-10-080
OAAI

研究方向

新型二维层状半导体电子器件与特性研究下一代CMOS兼容非易失存储器研究复旦大学,物理学,博士1996年07月 - 2000年06月复旦大学,物理学系荣誉称号二维半导体/硅基混合架构异质集成闪存芯片尚思学者,2025相辉学者,2025科学探索奖,2024上海市青年科技杰出贡献奖,2020国家杰出青年科学基金获得者,2019/2025青A延续/上海市曙光学者,2018科技部中青年领军人才,2018国家自然基金委优秀青年基金获得者,2016上海市科技启明星,2013