Meng Zhang

研究高含水敏感性及低渗透率油藏的CO2驱替特征：中国东部A区块案例研究

1.6 GW/cm²无金p-GaN栅极HEMT的Baliga优值，通过在6英寸Si上外延生长欧姆接触实现

4.3-kV全垂直<italic>β</italic>-Ga₂O₃异质结势垒肖特基二极管，采用溅射p-GaN

基于电荷捕获的混合栅堆叠GaN MIS-HEMT的阈值电压分析模型

金刚石帽层GaN HEMTs在射频应用中的最新进展

GaN自由-standing衬底上GaN HEMT的高可靠性与击穿电压

高功率密度X波段GaN-on-Si HEMT器件，采用无金低寄生欧姆接触，功率密度达10.2 W/mm

高性能环状p-GaN AlGaN/GaN HEMT器件，采用反应溅射NiNx栅极

氮化镓基电子器件中离子注入技术的最新进展

基于谱关系、网络药理学、分子对接和分子动力学，发现Rosa davurica Pall在改善急性心肌缺血中的活性成分。

栅极导电机制和高阈值电压稳定性研究：基于Cu栅极的p-GaN HEMT

探究人参茎叶皂苷的抗疲劳特性：采用UHPLC-MS代谢组学和神经递质分析

高线性度GaN HEMT通过优化的三维栅控调制实现，采用顶面MIS栅纳米线通道结构。

沟道层厚度对射频GaN hemt性能的影响