Ling Yang

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高功率密度毫米波超薄InGaN沟道DH-HEMT器件

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4.3-kV全垂直<italic>β</italic>-Ga₂O₃异质结势垒肖特基二极管，采用溅射p-GaN

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通过原位TEM观察到电子辐照诱导的fi-Ga2O3外延单晶薄膜的非常规相变