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M
Mao Jia
H指数:5
被引数:103
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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1.6 GW/cm<sup>2</sup>无金p-GaN栅极HEMT的Baliga优值，通过在6英寸Si上外延生长欧姆接触实现
4.3-kV全垂直<italic>β</italic>-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结势垒肖特基二极管，采用溅射p-GaN
基于电荷捕获的混合栅堆叠GaN MIS-HEMT的阈值电压分析模型
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Vacuum
IF3.9
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