Hao Lu

1.6 GW/cm²无金p-GaN栅极HEMT的Baliga优值，通过在6英寸Si上外延生长欧姆接触实现

宽禁带射频与电力电子器件的新进展：从材料创新到系统集成

高功率密度毫米波超薄InGaN沟道DH-HEMT器件

高PAE无金AlGaN/GaN HEMT器件及其面向5G应用的Al-Si合金栅极制备工艺

4.3-kV全垂直<italic>β</italic>-Ga₂O₃异质结势垒肖特基二极管，采用溅射p-GaN

基于电荷捕获的混合栅堆叠GaN MIS-HEMT的阈值电压分析模型

高耐久性粉煤灰-矿渣复合混凝土作为环境友好型修复材料的响应面优化

金刚石帽层GaN HEMTs在射频应用中的最新进展

用于射频开关应用的AlGaN/GaN hemt的RonCoff和功率压缩的结构相关参数折衷优化

GaN自由-standing衬底上GaN HEMT的高可靠性与击穿电压

表面共钝化用于实现宽禁带（1.7 eV）钙钛矿太阳能电池，以最小电压损失达到超过23%的效率

高功率密度X波段GaN-on-Si HEMT器件，采用无金低寄生欧姆接触，功率密度达10.2 W/mm

高性能环状p-GaN AlGaN/GaN HEMT器件，采用反应溅射NiNx栅极

氮化镓基电子器件中离子注入技术的最新进展

一种具有高隔离度和宽带性能的串联-分流紧凑型GaN HEMT，适用于RF开关应用

栅极导电机制和高阈值电压稳定性研究：基于Cu栅极的p-GaN HEMT

单晶SiC阳极氧化行为的微观研究: 阳极氧化电压的影响