Mei Wu

1.6 GW/cm²无金p-GaN栅极HEMT的Baliga优值，通过在6英寸Si上外延生长欧姆接触实现

化学反应器设计中串联匹配的综述

协调碳、电力和CCER市场以实现中国电力部门成本有效的脱碳

高功率密度毫米波超薄InGaN沟道DH-HEMT器件

4.3-kV全垂直<italic>β</italic>-Ga₂O₃异质结势垒肖特基二极管，采用溅射p-GaN

基于电荷捕获的混合栅堆叠GaN MIS-HEMT的阈值电压分析模型

通过表面重构键合技术实现的高键合率GaN-on-diamond结构超低热边界电阻

GaN自由-standing衬底上GaN HEMT的高可靠性与击穿电压

瞬态热反射法中热性质分布的超分辨率重建

高性能环状p-GaN AlGaN/GaN HEMT器件，采用反应溅射NiNx栅极

一种具有高隔离度和宽带性能的串联-分流紧凑型GaN HEMT，适用于RF开关应用

原子层沉积的HfO2人工阴极电解质界面（CEI）用于高压稳定的NMC811阴极

界面钼酸盐介导的电场去限制作用以钝化水氧化，实现宽电位生物质电氧化

栅极导电机制和高阈值电压稳定性研究：基于Cu栅极的p-GaN HEMT

(La, Mn)共掺杂对BaTiO3材料光子性能改性的理论研究

TSHDNet: 用于多模式交通流预测的时空异构解耦网络