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G
Gan Liu
H指数:8
被引数:145
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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解锁极缩接触长度下的器件偏压不稳定性及其对BEOL兼容氧化物半导体2T0C DRAM电路级行为的影响
通过原位NiO中间层在ITO FETs中实现栅侧氢调节，在EOX为5 MV/cm和415 K条件下达到低于5 mV的ΔVTH @ 1 ks
应变诱导的迁移率提升在结晶态In<sub>2</sub>O<sub>3</sub> FETs中
室温氟化：一种成本效益高的BEOL氧化物半导体FETs的V<sub>TH</sub>工程解决方案，实现了增益记录值为2687的反相器和高噪声容限
BTI可靠性之IGZTO FETs：氢动力学、AC/DC应力效应与先进建模
