M
Markku Leskelä
H指数:89
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个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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硫化镍薄膜的原子层沉积及其热稳定性和电化学稳定性
J. Mater. Chem. A
IF9.5
ScF3和Sc x Al y F z薄膜的原子层沉积
ACS OMEGA
IF4.3
SnI2和CsSnI3的原子层沉积和脉冲化学气相沉积
硼掺杂Al2O3介电薄膜的原子层沉积
ZnS的固有面积选择性原子层沉积
DALTON TRANSACTIONS
IF3.3
ALD CuO薄膜转化为透明导电p型CuI薄膜
CsI和CsPbI3的原子层沉积
热稳定的聚苯并咪唑类薄膜和纳米结构的分子层沉积
PbCl2,PbBr2和混合卤化铅 (Cl,Br,I) PbXnY2-n薄膜的原子层沉积
DALTON TRANSACTIONS
IF3.3
以EDOT和ReCl5为前驱体的导电PEDOT薄膜的氧化MLD
ACS OMEGA
IF4.3
用于电子,催化,储能等的2D金属二硫属化物的原子层沉积
ALD Al2O3表面钝化对p型Cu2O薄膜晶体管性能的影响
通过原子层沉积实现高导电和稳定的Co9S8薄膜: 从工艺开发和薄膜表征到选择性和外延生长
DALTON TRANSACTIONS
IF3.3
通过选择衬底来控制2D半导体sns2的原子层沉积
通过Cu催化的结晶链间聚酰亚胺的形成,在Cu上进行聚酰亚胺的区域选择性分子层沉积
原子层沉积法制备光催化和气敏多壁碳纳米管/TiO2-ZnO及ZnO-TiO2复合材料
NANOMATERIALS
IF4.3

