M
Marko Vehkamäki
H指数:29
被引数:2,229
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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原子层沉积法制备金属二氧化钼薄膜,实现高介电常数金红石电容器 (Adv. Mater. Interfaces 14/2026)
真空中HfO2薄膜在TiN上的原子层沉积研究:界面演化的低能离子散射和X射线光电子能谱研究
通过聚合物区域选择性刻蚀和区域选择性原子层沉积的自对准图案化:降低聚合物流动并激活非催化表面
细胞介导的仿生胶原-海藻酸盐水凝胶机械稳定性增强:关于二维细胞外基质-细胞相互作用的机制研究
金属二氧化钼薄膜的原子层沉积技术实现高介电常数金红石电容器
使用O2和NbCl5对钼进行的原子层刻蚀
用NbCl5对氧化物进行选择性气相脉冲蚀刻
使用原子层沉积的3d印刷传感器电路
硼掺杂Al2O3介电薄膜的原子层沉积
ZnS的固有面积选择性原子层沉积
DALTON TRANSACTIONS
IF3.3
CsI和CsPbI3的原子层沉积
热稳定的聚苯并咪唑类薄膜和纳米结构的分子层沉积
氧化物材料上铜的高材料选择性和自对准光辅助原子层沉积
通过Cu催化的结晶链间聚酰亚胺的形成,在Cu上进行聚酰亚胺的区域选择性分子层沉积
用于光电子的新兴2D半导体HfS2和ZrS2的原子层沉积

