M
Miika Mattinen
H指数:22
被引数:1,414
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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使用醋酸锡(IV)作为新型前驱体进行SnO2薄膜的原子层沉积
金属二氧化钼薄膜的原子层沉积技术实现高介电常数金红石电容器
硫化镍薄膜的原子层沉积及其热稳定性和电化学稳定性
J. Mater. Chem. A
IF9.5
P型铝掺杂MoS2纳米片薄膜:与金电子器件集成的电子和化学界面特性
增强聚合物隔膜上的ALD成核以提高锂硫电池性能
镍基碱性析氧反应催化剂中预催化剂转化和铁掺入的动力学
用于析氢反应的原子层沉积制备的MoS x的结构方面
ACS CATALYSIS
IF13.1
用于在150 °C下定制大面积MoS2薄膜的先进原子层沉积工艺工具箱
通过原子层沉积合成的MoS2作为Cu扩散阻挡层
ALD CuO薄膜转化为透明导电p型CuI薄膜
通过控制等离子体化学从100 °C开始大面积多晶过渡金属二硫化物的原子层沉积
PbCl2,PbBr2和混合卤化铅 (Cl,Br,I) PbXnY2-n薄膜的原子层沉积
DALTON TRANSACTIONS
IF3.3
用于电子,催化,储能等的2D金属二硫属化物的原子层沉积
通过原子层沉积实现高导电和稳定的Co9S8薄膜: 从工艺开发和薄膜表征到选择性和外延生长
DALTON TRANSACTIONS
IF3.3
通过选择衬底来控制2D半导体sns2的原子层沉积
用于光电子的新兴2D半导体HfS2和ZrS2的原子层沉积

