K
Katsuaki Suganuma
H指数:73
被引数:2.2万
个人简介
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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Ti/Ag金属化Cu基板预退火时间对SiC芯片键合中Ag-Ag直接键合界面微观结构和强度的影响
超越晶界扩散:Ag-Cu直接键合中晶界尺度依赖的烧结失衡
碳化硅功率器件封装的纳米铜烧结技术:抗氧化策略、低温互连机制和可靠性的最新进展
高温油和空气老化条件下Ni/Au金属化SiC上Cu混合烧结接头的界面和微观结构可靠性分析
烧结银和铜接头后成型界面设计以提高断裂韧性和聚合物粘附性:实验与数值研究
通过持续释放还原与原位表面纳米结构化协同策略实现空气中抗氧化且快速的铜烧结
Ag–Si不混溶烧结界面机理研究用于抑制迁移的增强性
MATERIALS & DESIGN
IF7.9
通过声发射对直接键合的V形缺口Si芯片的断裂模式进行实时检测
高密度互连封装基板中微孔电镀铜层中空隙生长的机理
非晶硅中准晶拓扑结构的对称性破缺
Scientific Reports
IF3.9
表面驱动应力辅助的快速大面积银多孔片键合用于功率电子封装
地球轨道卫星上的锡须生长特性
Materialia
IF2.9
180 °C下采用Ag烧结膏制备的低温Al/AlN接头:界面形成与接头可靠性
通过添加ag-si雾化颗粒调节热膨胀系数提高Ag膏烧结接头的休克可靠性
MATERIALS & DESIGN
IF7.9
通过在管芯和散热器上进行微米尺寸的Ag膏烧结连接来开发SiC功率模块结构,以实现低热阻和出色的功率循环可靠性

