G
Georgi Popov
H指数:13
被引数:607
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教育背景
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工作经历
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荣誉奖项
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原子层沉积法制备金属二氧化钼薄膜,实现高介电常数金红石电容器 (Adv. Mater. Interfaces 14/2026)
金属二氧化钼薄膜的原子层沉积技术实现高介电常数金红石电容器
AgX (X = Cl,Br,I) 薄膜的原子层沉积
ACS OMEGA
IF4.3
硫化镍薄膜的原子层沉积及其热稳定性和电化学稳定性
J. Mater. Chem. A
IF9.5
ACS OMEGA
IF4.3
SnI2和CsSnI3的原子层沉积和脉冲化学气相沉积
通过催化分解对聚甲基丙烯酸甲酯薄膜进行区域选择性蚀刻
ALD CuO薄膜转化为透明导电p型CuI薄膜
CsI和CsPbI3的原子层沉积
利用二氯双 (三乙基膦) 镍 (ii) 和1,4-双 (三甲基锗基)-1,4-二氢吡嗪进行镍的低温热ALD工艺
DALTON TRANSACTIONS
IF3.3
PbCl2,PbBr2和混合卤化铅 (Cl,Br,I) PbXnY2-n薄膜的原子层沉积
DALTON TRANSACTIONS
IF3.3
以EDOT和ReCl5为前驱体的导电PEDOT薄膜的氧化MLD
ACS OMEGA
IF4.3
用于光电子的新兴2D半导体HfS2和ZrS2的原子层沉积
光导Cu2O薄膜的原子层沉积
ACS OMEGA
IF4.3
ACS OMEGA
IF4.3

